氮化硅发热体蒸发源是用来加热膜材使之气化蒸发的装置。目前所用的蒸发源主要有电阻加热，电子束加热，感应加热，电弧加热和激光加热等多种形式。电阻加热式蒸发源的发热材料一般选用w、mo、ta、nb等高熔点金属，ni、ni-cr合金。把它们加工成各种合适的形状，在其上盛装待蒸发的膜材。一般采用大电流通过蒸发源使之发热，对膜材直接加热蒸发，或把膜材放入石墨及某些耐高温的金属氧化物（如al2o3，beo）等材料制成的坩埚中进行间接加热蒸发。电阻加热蒸发装置结构较简单，成本低，操作简便，应用普遍。

电阻加热蒸发源材料需具有以下特点:

①氮化硅发热体高熔点

必须高于待蒸发膜材的熔点（常用膜材熔点1000～2000℃）。

②低的饱和蒸气压

保证足够低的自蒸发量，不至于影响系统真空度和污染膜层。

③氮化硅发热体化学性能稳定

在高温下不应与膜材发生反应，生成化合物或合金化。

各种蒸发源材料的熔点和相应饱和蒸气压的温度列出了各种蒸发源材料的熔点和相应饱气压的温度。其中钨在加热到蒸发温度时，会因加热结晶而变脆；钽不会变脆；钼则会因纯度不同而不同，有的会变脆，有的则不会变脆。钨和水汽起反应，会形成挥发性氧化物wo3，因此钨在残余水汽中加热时，加热材料会不断受到损耗。残余气体压力较低时，虽然材料损耗并不多，但是它对膜的污染是较严重的。耐高温的金属氧化物如铝土、镁土作为蒸发源材料时，它们不能直接通电加热而只能采用间接的加热方法。